【技術(shù)文章】薄膜內(nèi)應(yīng)力起因 2014-10-05
一般認(rèn)為薄膜內(nèi)應(yīng)力是由熱效應(yīng)、相變、界面應(yīng)力、雜質(zhì)效應(yīng)等因素綜合作用的結(jié)果。
一、熱效應(yīng)
熱效應(yīng)是內(nèi)應(yīng)力的主要來源。因此在選擇基片時(shí)應(yīng)盡量選擇其熱膨脹系數(shù)與薄膜相接近的材料,或者選擇可使薄膜處于壓應(yīng)力狀態(tài)的基片材料?;瑴囟葘Ρ∧さ膬?nèi)應(yīng)力...