【技術(shù)文章】非晶態(tài)薄膜材料的薄膜生長(zhǎng)也可以采取柱狀的生長(zhǎng)方式 2014-05-29

非晶態(tài)薄膜材料的薄膜生長(zhǎng)也可以采取柱狀的生長(zhǎng)方式。如Si、SiO2等材料在較低的溫度下，都可以形成非晶的柱狀結(jié)構(gòu)。對(duì)Ge、Si等薄膜材料進(jìn)行深入研究時(shí)，發(fā)現(xiàn)這類(lèi)材料的柱狀形貌的發(fā)育可以被劃分為納米級(jí)的、顯微的，以及宏觀的三種柱狀組織。非晶態(tài)Ge薄膜中30%A...

【技術(shù)文章】材料形成非晶態(tài)的能力主要取決于其化學(xué)成分 2014-05-21

除了制備條件之外，材料形成非晶態(tài)的能力主要取決于其化學(xué)成分。一般來(lái)說(shuō)金屬元素不容易形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)。這是因?yàn)榻饘僭娱g的鍵合不存在方向性，因而要抑制金屬原子間形成有序排列，需要的過(guò)冷度較大。合金或化合物形成非晶態(tài)結(jié)構(gòu)的傾向明顯高于單一組元，因?yàn)榛衔锏慕Y(jié)構(gòu)一般...

【技術(shù)文章】非晶薄膜的生長(zhǎng)特性 2014-05-16

非晶態(tài)是一種近程有序結(jié)構(gòu)。就是在2個(gè)一3個(gè)原子距離內(nèi)原子排列是有秩序的，大于這個(gè)距離其排列是雜亂無(wú)規(guī)則的。例如，非晶硅的每個(gè)原子仍為四價(jià)共價(jià)鍵，并且與最近鄰原子構(gòu)成四面體，仍是有規(guī)律的。非晶態(tài)的另一個(gè)特點(diǎn)是，其自由能比同種材料晶態(tài)的自由能高，即處于一種亞穩(wěn)態(tài)...

【技術(shù)文章】外延薄膜的生長(zhǎng) 2014-05-14

外延生長(zhǎng)的基本參數(shù)之一是基片溫度，對(duì)于基片與薄膜材料之間，都有一個(gè)臨界外延溫度，高于此溫度的外延生長(zhǎng)是良好的，而低于此溫度的外延生長(zhǎng)則是不完善的。此外，生長(zhǎng)速率R與基片溫度T有關(guān)。 如吸附原子在與另一個(gè)原子碰撞結(jié)合之前能進(jìn)人穩(wěn)定的平衡位置，...

【技術(shù)文章】濺射薄膜成膜過(guò)程 2014-05-12

從蒸發(fā)源或?yàn)R射靶中出來(lái)的沉積粒子到達(dá)基片表面之后，經(jīng)過(guò)吸附、凝結(jié)、表面擴(kuò)散、遷移、碰撞結(jié)合形成穩(wěn)定晶核。然后再通過(guò)吸附使晶核長(zhǎng)大成小島，島長(zhǎng)大后互相聯(lián)結(jié)聚集，*形成連續(xù)薄膜。在這樣的成膜過(guò)程中，蒸發(fā)法和濺射法的主要區(qū)別是: 對(duì)于真空蒸發(fā)法，其入...

【技術(shù)文章】濺射薄膜的生長(zhǎng) 2014-05-09

用濺射法制備薄膜時(shí)，到達(dá)基片的濺射粒子的能量比蒸發(fā)法的要大得多，因此會(huì)給薄膜的形成帶來(lái)一系列的影響，除了使膜與基片的附著力增加外，還會(huì)由于高能離子轟擊薄膜表面使其溫度上升而改變薄膜的結(jié)構(gòu)，或使薄膜內(nèi)部應(yīng)力增加等。濺射粒子的能量與濺射電壓、基片與靶的距離、真空...

【技術(shù)文章】薄膜開(kāi)關(guān)達(dá)到哪些標(biāo)準(zhǔn) 2014-05-08

使用壽命長(zhǎng)達(dá)200萬(wàn)。 安全開(kāi)關(guān)防塵防水，抗震性強(qiáng)，使用壽命長(zhǎng)，適用于標(biāo)準(zhǔn)機(jī)械工程及衛(wèi)生要求嚴(yán)格的領(lǐng)域。 所有產(chǎn)品系列的安全開(kāi)關(guān)均滿(mǎn)足歐洲和美國(guó)安全標(biāo)準(zhǔn)。 外形尺寸及接線方式多樣化

【技術(shù)文章】連續(xù)膜階段 2014-05-06

在溝渠和孔洞消除之后，再入射到基片表面上的氣相原子便直接吸附在薄膜上、通過(guò)合并作用而形成不同結(jié)構(gòu)的薄膜。有些薄膜在島的合并階段，小島的取向就發(fā)生顯著變化。對(duì)于外延薄膜的形成，其小島的取向相當(dāng)重要。在形成多晶薄膜時(shí)，除了在外延膜中小島合并時(shí)必須有相互一定的取向...

【技術(shù)文章】薄膜的網(wǎng)絡(luò)階段 2014-05-04

在小島合并為新島的生長(zhǎng)過(guò)程中，它的形狀變?yōu)閳A形的傾向減小，只是在新島進(jìn)一步合并的地方才繼續(xù)發(fā)生較大的變形，當(dāng)島的分布達(dá)到臨界狀態(tài)時(shí)互相聚結(jié)形成一種網(wǎng)狀結(jié)構(gòu)。在這種結(jié)構(gòu)中不規(guī)則的分布著寬度為50A-200A的溝渠，隨著沉積的繼續(xù)進(jìn)行，在溝渠中會(huì)發(fā)生二次或三次成...

【技術(shù)文章】薄膜開(kāi)關(guān)優(yōu)點(diǎn) 2014-04-23

薄膜開(kāi)關(guān)又稱(chēng)輕觸式鍵盤(pán)，采用平面多層組合而成的整體密封結(jié)構(gòu)，是將按鍵開(kāi)關(guān)、面板、標(biāo)記、符號(hào)顯示及襯板密封在一起的集光、機(jī)、電一體化的一種新型電子元器件，是電子產(chǎn)品外觀結(jié)構(gòu)根本性的變革，它可取代常規(guī)分立元件的按鍵，更可靠地執(zhí)行操作系統(tǒng)的任務(wù)。 ...